Продукція > NEXPERIA > PSMN7R0-60YS,115
PSMN7R0-60YS,115

PSMN7R0-60YS,115 Nexperia

3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R0-60YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN7R0-60YS,115 за ціною від 30.39 грн до 178.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.06 грн
3000+34.83 грн
4500+33.41 грн
7500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.65 грн
500+47.20 грн
1000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 38338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.37 грн
10+81.08 грн
100+54.55 грн
500+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.93 грн
10+91.97 грн
25+83.10 грн
100+77.45 грн
250+74.22 грн
500+66.15 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.52 грн
10+114.61 грн
25+99.72 грн
100+92.94 грн
250+89.07 грн
500+79.39 грн
1000+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.55 грн
10+114.68 грн
100+76.46 грн
500+63.73 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia PSMN7R0-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.00 грн
10+84.26 грн
100+65.21 грн
1500+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.