PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 35.56 грн |
| 3000+ | 31.71 грн |
| 4500+ | 30.42 грн |
| 7500+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN7R0-60YS,115 за ціною від 30.73 грн до 186.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V |
на замовлення 38335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A |
на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN7R0-60YS.115 SMD N channel transistors |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |