Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN7R0-60YS,115
PSMN7R0-60YS,115

PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-60YS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN7R0-60YS,115 за ціною від 31.32 грн до 121.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.06 грн
500+45.87 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 117W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.80 грн
6+70.57 грн
10+61.95 грн
25+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 54189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.68 грн
10+72.14 грн
100+46.72 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia PSMN7R0-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.30 грн
10+67.70 грн
100+43.59 грн
500+39.52 грн
1000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 117W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.56 грн
5+87.95 грн
10+74.34 грн
25+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.60 грн
11+82.51 грн
100+55.06 грн
500+45.87 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Виробник : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.