Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN7R0-60YS,115
PSMN7R0-60YS,115

PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-60YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+38.79 грн
3000+34.58 грн
4500+33.17 грн
7500+29.65 грн
10500+28.77 грн
15000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 117W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm.

Інші пропозиції PSMN7R0-60YS,115 за ціною від 40.21 грн до 194.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 33419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.54 грн
100+54.16 грн
500+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.18 грн
10+95.61 грн
25+86.38 грн
100+80.51 грн
250+77.16 грн
500+68.77 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Nexperia PSMN7R0-60YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.13 грн
10+75.80 грн
100+58.66 грн
1500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.27 грн
10+125.18 грн
100+79.09 грн
500+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 33419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.68 грн
10+80.54 грн
100+54.16 грн
500+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.18 грн
10+95.61 грн
25+86.38 грн
100+80.51 грн
250+77.16 грн
500+68.77 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.13 грн
10+75.80 грн
100+58.66 грн
1500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+194.27 грн
10+125.18 грн
100+79.09 грн
500+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.