PSMN7R2-100YSFX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.05 грн |
| 10+ | 122.15 грн |
| 50+ | 93.05 грн |
| 100+ | 78.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R2-100YSFX Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN7R2-100YSFX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R2-100YSFX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 100V 111A N-C H MOSFET |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN7R2-100YSFX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 100V 111A N-C H MOSFET
MOSFETs SOT669 100V 111A N-C H MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)