Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R5-30YLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PSMN7R5-30YLDX за ціною від 16.96 грн до 85.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN7R5-30YLDX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN7R5-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN7R5-30YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN7R5-30YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V |
на замовлення 13623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN7R5-30YLDX | Nexperia |
MOSFETs N-channel 60 V, 7.5 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 |
на замовлення 7294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN7R5-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 20.77 грн |
| PSMN7R5-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.44 грн |
| 3000+ | 20.71 грн |
| 4500+ | 19.76 грн |
| 7500+ | 17.55 грн |
| 10500+ | 16.96 грн |
| PSMN7R5-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 529+ | 26.81 грн |
| PSMN7R5-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
на замовлення 13623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.43 грн |
| 10+ | 51.53 грн |
| 100+ | 33.85 грн |
| 500+ | 24.64 грн |
| PSMN7R5-30YLDX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 60 V, 7.5 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
MOSFETs N-channel 60 V, 7.5 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)