Продукція > NEXPERIA > PSMN7R5-60YLX
PSMN7R5-60YLX

PSMN7R5-60YLX NEXPERIA

805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R5-60YLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN7R5-60YLX за ціною від 29.22 грн до 117.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+47.97 грн
6000+43.83 грн
9000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.31 грн
500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 37913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.99 грн
10+51.80 грн
100+39.31 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.35 грн
12+70.40 грн
100+53.31 грн
500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia PSMN7R5-60YL.pdf MOSFETs N-channel 100 V 7.6 mohm standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.55 грн
10+60.58 грн
25+52.60 грн
100+39.95 грн
500+34.94 грн
1000+33.33 грн
1500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.21 грн
6+65.14 грн
19+49.05 грн
51+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.85 грн
5+81.17 грн
19+58.85 грн
51+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Виробник : Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.