Продукція > NEXPERIA > PSMN7R5-60YLX

PSMN7R5-60YLX Nexperia


805563076230790psmn7r5-60yl.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.57 грн
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R5-60YLX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції PSMN7R5-60YLX за ціною від 27.59 грн до 193.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.68 грн
3000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+70.45 грн
25+62.90 грн
100+58.71 грн
250+55.35 грн
500+50.32 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia PSMN7R5-60YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.42 грн
10+68.83 грн
100+42.22 грн
500+33.37 грн
1000+30.10 грн
1500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.33 грн
100+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+105.08 грн
500+94.56 грн
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.46 грн
10+112.99 грн
100+75.03 грн
500+54.80 грн
1000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.68 грн
3000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+70.45 грн
25+62.90 грн
100+58.71 грн
250+55.35 грн
500+50.32 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.42 грн
10+68.83 грн
100+42.22 грн
500+33.37 грн
1000+30.10 грн
1500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.25 грн
10+63.33 грн
100+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX 805563076230790psmn7r5-60yl.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+105.08 грн
500+94.56 грн
1000+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+193.46 грн
10+112.99 грн
100+75.03 грн
500+54.80 грн
1000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.