Технічний опис PSMN7R5-60YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Інші пропозиції PSMN7R5-60YLX за ціною від 27.59 грн до 193.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN7R5-60YLX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 346A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 19.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A |
на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 147W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 43.68 грн |
| 3000+ | 42.84 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 89.41 грн |
| 10+ | 70.45 грн |
| 25+ | 62.90 грн |
| 100+ | 58.71 грн |
| 250+ | 55.35 грн |
| 500+ | 50.32 грн |
| 1000+ | 49.48 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.42 грн |
| 10+ | 68.83 грн |
| 100+ | 42.22 грн |
| 500+ | 33.37 грн |
| 1000+ | 30.10 грн |
| 1500+ | 27.59 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.25 грн |
| 10+ | 63.33 грн |
| 100+ | 42.06 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 337+ | 105.08 грн |
| 500+ | 94.56 грн |
| 1000+ | 87.21 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 193.46 грн |
| 10+ | 112.99 грн |
| 100+ | 75.03 грн |
| 500+ | 54.80 грн |
| 1000+ | 46.54 грн |







