Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN7R6-100BSEJ
PSMN7R6-100BSEJ

PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN7R6-100BSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.51 грн
2400+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 296W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Інші пропозиції PSMN7R6-100BSEJ за ціною від 97.27 грн до 313.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+194.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+234.53 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.30 грн
10+178.48 грн
50+138.37 грн
100+117.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia PSMN7R6-100BSE.pdf MOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+313.13 грн
10+203.53 грн
100+124.33 грн
500+97.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+130.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+194.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1600+234.53 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.30 грн
10+178.48 грн
50+138.37 грн
100+117.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.13 грн
10+203.53 грн
100+124.33 грн
500+97.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-100BSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 3801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.