PSMN7R6-100BSEJ

PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc.


PSMN7R6-100BSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 296W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN7R6-100BSEJ за ціною від 84.18 грн до 287.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+123.82 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.05 грн
500+101.16 грн
1000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+200.97 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.28 грн
10+181.56 грн
100+132.05 грн
500+101.16 грн
1000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia PSMN7R6-100BSE.pdf MOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.20 грн
10+185.28 грн
25+156.70 грн
100+117.71 грн
500+105.20 грн
800+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.29 грн
10+185.38 грн
100+130.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Виробник : Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN7R6-100BSE.pdf PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.