Продукція > NEXPERIA > PSMN7R6-60BS,118
PSMN7R6-60BS,118

PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.44 грн
500+66.90 грн
1000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 149W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN7R6-60BS,118 за ціною від 48.04 грн до 155.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.41 грн
10+78.40 грн
100+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN7R6-60BS.pdf MOSFETs PSMN7R6-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.92 грн
10+104.91 грн
100+64.37 грн
500+62.31 грн
800+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.98 грн
10+102.34 грн
100+74.44 грн
500+66.90 грн
1000+54.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3013050111262184psmn7r6-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN7R6-60BS.pdf PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.