PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 192.29 грн |
| 10+ | 171.66 грн |
| 100+ | 140.30 грн |
| 500+ | 118.78 грн |
| 1000+ | 94.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 149W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN7R6-60PS,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN7R6-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
PSMN7R6-60PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|
 |
PSMN7R6-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN7R6-60PS/SOT78/SIL3P |
товару немає в наявності |