PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 443.29 грн |
| 10+ | 293.52 грн |
| 100+ | 233.26 грн |
| 500+ | 192.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PSMN7R8-100PSEQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P |
товару немає в наявності |