Продукція > NEXPERIA > PSMN7R8-100PSEQ
PSMN7R8-100PSEQ

PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA

NEXP-S-A0003100996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.23 грн
10+211.59 грн
100+175.36 грн
500+127.67 грн
1000+108.68 грн
2000+103.03 грн
5000+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN7R8-100PSEQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSEQ Виробник : NEXPERIA 4374525683122712psmn7r8-100pse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQ Виробник : NEXPERIA PSMN7R8-100PSE.pdf PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSEQ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN7R8-100PSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-100PSEQ Виробник : Nexperia PSMN7R8_100PSE-2938927.pdf MOSFETs PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.