Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R0-40BS,118
PSMN8R0-40BS,118

PSMN8R0-40BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN8R0-40BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+40.01 грн
1600+38.15 грн
2400+37.78 грн
4000+34.80 грн
5600+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R0-40BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN8R0-40BS,118 за ціною від 39.12 грн до 125.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
на замовлення 7385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+83.64 грн
100+59.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS,118 Виробник : Nexperia PSMN8R0-40BS.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 9.4 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOStechnology
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.87 грн
10+94.53 грн
100+61.35 грн
500+40.00 грн
800+39.19 грн
2400+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40BS,118 Виробник : NEXPERIA 3014107413549175psmn8r0-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN8R0-40BS.pdf PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.