Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R0-40HLX
PSMN8R0-40HLX

PSMN8R0-40HLX Nexperia USA Inc.

PSMN8R0-40HL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R0-40HLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN8R0-40HLX за ціною від 34.77 грн до 256.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HLX Nexperia PSMN8R0_40HL-3051889.pdf MOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.57 грн
10+79.90 грн
100+53.98 грн
500+45.81 грн
1000+37.29 грн
1500+35.05 грн
3000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HLX NEXPERIA 3791100.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.72 грн
500+93.05 грн
1000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+94.94 грн
100+66.35 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HLX NEXPERIA 3791100.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.62 грн
10+165.38 грн
100+106.72 грн
500+93.05 грн
1000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0_40HL-3051889.pdf
PSMN8R0-40HLX
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN8R0-40HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.57 грн
10+79.90 грн
100+53.98 грн
500+45.81 грн
1000+37.29 грн
1500+35.05 грн
3000+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX 3791100.pdf
PSMN8R0-40HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.72 грн
500+93.05 грн
1000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HL.pdf
PSMN8R0-40HLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.91 грн
10+94.94 грн
100+66.35 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40HLX 3791100.pdf
PSMN8R0-40HLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0094 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0094ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+256.62 грн
10+165.38 грн
100+106.72 грн
500+93.05 грн
1000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.