PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 110.06 грн |
| 10+ | 84.59 грн |
| 100+ | 64.23 грн |
| 500+ | 52.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN8R0-40PS,127 за ціною від 48.80 грн до 120.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 309A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 309A |
товару немає в наявності |