Продукція > NEXPERIA > PSMN8R0-40PS,127
PSMN8R0-40PS,127

PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA

PSMN8R0-40PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.22 грн
10+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN8R0-40PS,127 за ціною від 47.86 грн до 117.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN8R0-40PS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+93.93 грн
100+74.77 грн
500+59.37 грн
1000+50.38 грн
2000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 Nexperia PSMN8R0_40PS-2939089.pdf MOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.27 грн
10+93.93 грн
100+74.77 грн
500+59.37 грн
1000+50.38 грн
2000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0_40PS-2939089.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 NEXP-S-A0003059574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.