PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.27 грн |
| 10+ | 76.85 грн |
| 15+ | 65.09 грн |
| 39+ | 61.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN8R0-40PS,127 за ціною від 50.18 грн до 123.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R0-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 12 V |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN8R0-40PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R0-40PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|