Продукція > NEXPERIA > PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA

PSMN8R2-80YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.34 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

Інші пропозиції PSMN8R2-80YS,115 за ціною від 44.91 грн до 230.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
200+87.50 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+89.00 грн
100+60.20 грн
500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia PSMN8R2-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+85.74 грн
100+66.48 грн
1500+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.34 грн
10+149.00 грн
50+127.25 грн
200+86.00 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+141.75 грн
200+87.50 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.45 грн
10+89.00 грн
100+60.20 грн
500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.60 грн
10+85.74 грн
100+66.48 грн
1500+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.34 грн
10+149.00 грн
50+127.25 грн
200+86.00 грн
500+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.