Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN8R2-80YS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN8R2-80YS,115 за ціною від 39.34 грн до 131.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+50.31 грн
1000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.26 грн
200+54.58 грн
500+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+86.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.38 грн
5+88.68 грн
13+69.34 грн
36+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia PSMN8R2-80YS.pdf MOSFETs PSMN8R2-80YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 19915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.88 грн
10+75.20 грн
100+48.51 грн
500+43.23 грн
1000+42.05 грн
1500+39.63 грн
3000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 16712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.14 грн
10+80.19 грн
100+52.31 грн
500+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.46 грн
5+110.51 грн
13+83.21 грн
36+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.73 грн
10+89.74 грн
50+74.26 грн
200+54.58 грн
500+45.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.