Продукція > NEXPERIA > PSMN8R2-80YS,115
PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+25.13 грн
250+23.73 грн
500+23.34 грн
1000+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN8R2-80YS,115 за ціною від 24.10 грн до 207.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+26.27 грн
495+25.84 грн
504+25.42 грн
1000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+54.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.44 грн
500+72.60 грн
1000+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.43 грн
10+97.30 грн
25+81.50 грн
100+73.18 грн
250+68.19 грн
500+64.87 грн
1000+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.71 грн
10+121.25 грн
25+97.80 грн
100+87.82 грн
250+81.83 грн
500+77.84 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.99 грн
10+93.14 грн
100+63.03 грн
500+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.97 грн
10+142.40 грн
100+79.44 грн
500+72.60 грн
1000+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia PSMN8R2-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.70 грн
10+99.16 грн
100+76.88 грн
1500+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.