на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 22.21 грн |
| 3000+ | 21.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R3-40YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN8R3-40YS,115 за ціною від 20.75 грн до 95.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0066 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R3-40YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V |
на замовлення 6505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN8R3-40YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |