Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R3-40YS,115
PSMN8R3-40YS,115

PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN8R3-40YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+23.25 грн
3000+20.57 грн
4500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm.

Інші пропозиції PSMN8R3-40YS,115 за ціною від 18.36 грн до 161.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia 4380948381137525psmn8r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+41.58 грн
1500+35.81 грн
3000+32.90 грн
4500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia 4380948381137525psmn8r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.62 грн
500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R3-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
10+50.63 грн
100+33.41 грн
500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 Nexperia PSMN8R3-40YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 70A
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+57.48 грн
100+33.00 грн
500+25.68 грн
1000+20.85 грн
1500+19.33 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.08 грн
11+77.64 грн
100+54.69 грн
500+40.68 грн
1000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 4380948381137525psmn8r3-40ys.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+41.58 грн
1500+35.81 грн
3000+32.90 грн
4500+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 4380948381137525psmn8r3-40ys.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
446+79.62 грн
500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 20 V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.88 грн
10+50.63 грн
100+33.41 грн
500+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R3-40YS.pdf
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 70A
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.62 грн
10+57.48 грн
100+33.00 грн
500+25.68 грн
1000+20.85 грн
1500+19.33 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R3-40YS,115 NEXP-S-A0003059573-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R3-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 6600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.08 грн
11+77.64 грн
100+54.69 грн
500+40.68 грн
1000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.