на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 213+ | 145.43 грн |
| 500+ | 130.99 грн |
| 1000+ | 120.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-100ESFQ Nexperia
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 183W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN8R5-100ESFQ за ціною від 63.27 грн до 145.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN8R5-100ESFQ | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| PSMN8R5-100ESFQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN8R5-100ESFQ | Виробник : NXP Semiconductors |
PSMN8R5-100ESFQ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN8R5-100ESFQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
PSMN8R5-100ESFQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN8R5-100ESF SOT226/I2PAK |
товару немає в наявності |