Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R5-100ESQ
PSMN8R5-100ESQ

PSMN8R5-100ESQ Nexperia USA Inc.

PHGLS25567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 36282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R5-100ESQ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA PSMN8R5-100ESQ - 100A,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN8R5-100ESQ за ціною від 54.22 грн до 55.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100ESQ Виробник : NXP USA Inc. PHGLS25567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100ESQ Виробник : Nexperia PSMN8R5-100ES-1600317.pdf MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQ Виробник : NEXPERIA PHGLS25567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100ESQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
584+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100ESQ Виробник : NEXPERIA 3013405169971888psmn8r5-100es.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.