Продукція > NEXPERIA > PSMN8R5-40HSX
PSMN8R5-40HSX

PSMN8R5-40HSX NEXPERIA

3791101.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.24 грн
500+70.50 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R5-40HSX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції PSMN8R5-40HSX за ціною від 34.98 грн до 228.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN8R5-40HSX PSMN8R5-40HSX Nexperia USA Inc. PSMN8R5-40HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
10+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSX PSMN8R5-40HSX Nexperia PSMN8R5-40HS.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.86 грн
10+100.38 грн
100+60.68 грн
500+47.97 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSX PSMN8R5-40HSX NEXPERIA 3791101.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.10 грн
10+146.64 грн
100+91.24 грн
500+70.50 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSX PSMN8R5-40HS.pdf
PSMN8R5-40HSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.18 грн
10+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSX PSMN8R5-40HS.pdf
PSMN8R5-40HSX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.86 грн
10+100.38 грн
100+60.68 грн
500+47.97 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40HSX 3791101.pdf
PSMN8R5-40HSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+228.10 грн
10+146.64 грн
100+91.24 грн
500+70.50 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.