PSMN8R5-40HSX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.90 грн |
| 500+ | 45.73 грн |
| 1000+ | 34.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-40HSX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN8R5-40HSX за ціною від 33.19 грн до 153.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN8R5-40HSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN8R5-40HSX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 3252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN8R5-40HSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN8R5-40HSX | Виробник : Nexperia |
PSMN8R5-40HSX |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
PSMN8R5-40HSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
товару немає в наявності |

