на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1206+ | 10.31 грн |
| 1218+ | 10.21 грн |
| 1231+ | 10.11 грн |
| 1243+ | 9.65 грн |
| 1303+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-40MSDX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN8R5-40MSDX за ціною від 8.77 грн до 108.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A |
на замовлення 2608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-40MSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |