Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R5-40MSDX
PSMN8R5-40MSDX

PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-40MSD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+21.96 грн
3000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V, Verlustleistung: 59W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm.

Інші пропозиції PSMN8R5-40MSDX за ціною від 19.77 грн до 80.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+24.63 грн
584+24.24 грн
594+23.85 грн
604+22.61 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.41 грн
31+24.63 грн
100+23.38 грн
250+21.29 грн
500+20.10 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+62.97 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc. PSMN8R5-40MSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+48.56 грн
100+31.83 грн
500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Nexperia PSMN8R5-40MSD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX NEXPERIA NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX NEXPERIA NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
575+24.63 грн
584+24.24 грн
594+23.85 грн
604+22.61 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+25.41 грн
31+24.63 грн
100+23.38 грн
250+21.29 грн
500+20.10 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX psmn8r5-40msd.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
562+62.97 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 562 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSD.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.09 грн
10+48.56 грн
100+31.83 грн
500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSD.pdf
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 60A
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-40MSDX NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R5-40MSDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 7400 µohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
Verlustleistung: 59W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.