Технічний опис PSMN8R5-60YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN8R5-60YS,115 за ціною від 29.45 грн до 195.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 303A Drain current: 76A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 39nC On-state resistance: 5.6mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V |
на замовлення 30336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN8R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |