Продукція > NEXPERIA > PSMN8R5-60YS,115
PSMN8R5-60YS,115

PSMN8R5-60YS,115 Nexperia

805574512289551psmn8r5-60ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.40 грн
36+21.17 грн
37+20.96 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R5-60YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm.

Інші пропозиції PSMN8R5-60YS,115 за ціною від 29.09 грн до 205.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.71 грн
3000+35.43 грн
4500+34.00 грн
7500+30.40 грн
10500+29.51 грн
15000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.64 грн
10+66.48 грн
25+61.49 грн
100+58.17 грн
250+52.35 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.57 грн
500+62.07 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia PSMN8R5-60YS.pdf MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+82.56 грн
50+61.16 грн
100+48.32 грн
500+38.31 грн
1500+33.34 грн
3000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R5-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 30334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.12 грн
100+55.30 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+120.81 грн
100+79.90 грн
500+58.56 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 Nexperia 805574512289551psmn8r5-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+39.71 грн
3000+35.43 грн
4500+34.00 грн
7500+30.40 грн
10500+29.51 грн
15000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.64 грн
10+66.48 грн
25+61.49 грн
100+58.17 грн
250+52.35 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 NEXP-S-A0003059612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+84.57 грн
500+62.07 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.28 грн
10+82.56 грн
50+61.16 грн
100+48.32 грн
500+38.31 грн
1500+33.34 грн
3000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 30 V
на замовлення 30334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.36 грн
10+82.12 грн
100+55.30 грн
500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 NEXP-S-A0003059612-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+205.38 грн
10+120.81 грн
100+79.90 грн
500+58.56 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 805574512289551psmn8r5-60ys.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.