| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 207+ | 170.90 грн |
| 500+ | 162.65 грн |
| 1000+ | 153.22 грн |
| 10000+ | 138.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
207 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R7-100YSFX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PSMN8R7-100YSFX за ціною від 263.85 грн до 263.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN8R7-100YSFX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
PSMN8R7-100YSFX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
PSMN8R7-100YSFX | Nexperia |
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
PSMN8R7-100YSFX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 198W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN8R7-100YSFX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 263.85 грн |
| PSMN8R7-100YSFX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 263.85 грн |
| PSMN8R7-100YSFX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN8R7-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





