Продукція > NEXPERIA > PSMN8R7-80BS,118
PSMN8R7-80BS,118

PSMN8R7-80BS,118 Nexperia


3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R7-80BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN8R7-80BS,118 за ціною від 50.59 грн до 164.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : NEXPERIA 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
440+69.22 грн
500+66.29 грн
1000+62.60 грн
Мінімальне замовлення: 440
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+99.38 грн
100+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+114.44 грн
100+86.45 грн
500+69.95 грн
1000+57.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN8R7-80BS.pdf MOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.40 грн
10+120.69 грн
100+75.59 грн
500+73.24 грн
800+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Виробник : Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN8R7-80BS.pdf PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.