Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R7-80BS,118
PSMN8R7-80BS,118

PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.63 грн
1600+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції PSMN8R7-80BS,118 за ціною від 62.96 грн до 184.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+114.35 грн
100+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia PSMN8R7-80BS.pdf MOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3200+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+75.14 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
237+150.02 грн
500+142.93 грн
1000+134.66 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.84 грн
10+114.35 грн
100+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 NEXP-S-A0003059798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.