Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN8R7-80BS,118
PSMN8R7-80BS,118

PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.78 грн
2400+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції PSMN8R7-80BS,118 за ціною від 54.40 грн до 204.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+173.33 грн
500+163.56 грн
1000+155.02 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.23 грн
10+118.29 грн
50+90.07 грн
100+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 Nexperia PSMN8R7-80BS.pdf MOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+204.52 грн
10+98.63 грн
100+77.49 грн
500+58.61 грн
800+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3200+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 3013131408961541psmn8r7-80bs.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+173.33 грн
500+163.56 грн
1000+155.02 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.23 грн
10+118.29 грн
50+90.07 грн
100+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80BS.pdf
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN8R7-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.52 грн
10+98.63 грн
100+77.49 грн
500+58.61 грн
800+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80BS,118 NEXP-S-A0003059798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R7-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.