Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PSMN8R7-80PS,127

PSMN8R7-80PS,127

PSMN8R7-80PS.pdf
Код товару: 152615
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PSMN8R7-80PS,127 за ціною від 63.40 грн до 226.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS,127 Nexperia PSMN8R7_80PS-2938885.pdf MOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.19 грн
10+106.80 грн
100+80.30 грн
250+79.60 грн
500+71.92 грн
1000+64.45 грн
2500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80PS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.03 грн
10+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA PSMN8R7-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7_80PS-2938885.pdf
PSMN8R7-80PS,127
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN8R7-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.19 грн
10+106.80 грн
100+80.30 грн
250+79.60 грн
500+71.92 грн
1000+64.45 грн
2500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
PSMN8R7-80PS,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3346 pF @ 40 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+205.03 грн
10+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
PSMN8R7-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.