Продукція > NEXPERIA > PSMN8R9-100BSEJ
PSMN8R9-100BSEJ

PSMN8R9-100BSEJ NEXPERIA

3175812.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.49 грн
500+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN8R9-100BSEJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 296W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 296W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN8R9-100BSEJ за ціною від 114.67 грн до 189.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSEJ Виробник : NEXPERIA 3175812.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.36 грн
10+165.48 грн
100+137.49 грн
500+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSEJ Виробник : NEXPERIA psmn8r9-100bse.pdf N-channel standard level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN8R9-100BSE.pdf PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R9-100BSEJ Виробник : Nexperia PSMN8R9-100BSE.pdf MOSFET PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.