
PSMN8R9-100BSEJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 296W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 106.46 грн |
500+ | 95.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R9-100BSEJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 296W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 296W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN8R9-100BSEJ за ціною від 95.03 грн до 113.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN8R9-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 296W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
PSMN8R9-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
PSMN8R9-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
PSMN8R9-100BSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
PSMN8R9-100BSEJ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |