Продукція > NEXPERIA > PSMN9R3-60HSX
PSMN9R3-60HSX

PSMN9R3-60HSX NEXPERIA

PSMN9R3-60HS.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.00764 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00764ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00764ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.48 грн
500+73.57 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R3-60HSX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.00764 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00764ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00764ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN9R3-60HSX за ціною від 40.90 грн до 213.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN9R3-60HSX PSMN9R3-60HSX Виробник : NEXPERIA PSMN9R3-60HS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN9R3-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.00764 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00764ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00764ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.69 грн
10+119.67 грн
100+87.48 грн
500+73.57 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSX PSMN9R3-60HSX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
10+123.38 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSX PSMN9R3-60HSX Виробник : Nexperia PSMN9R3-60HS.pdf MOSFETs PSMN9R3-60HS/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.72 грн
10+136.21 грн
100+80.92 грн
500+66.43 грн
1500+47.16 грн
3000+46.05 грн
9000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R3-60HSX PSMN9R3-60HSX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R3-60HS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2348pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.