Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN9R5-100BS,118
PSMN9R5-100BS,118

PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN9R5-100BS,118 за ціною від 66.20 грн до 250.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 5436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.47 грн
10+140.97 грн
100+97.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Виробник : Nexperia PSMN9R5-100BS.pdf MOSFETs N-channel 30 V 9.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.02 грн
10+160.36 грн
100+96.88 грн
500+96.14 грн
800+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN9R5-100BS.pdf PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.