PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 77.32 грн |
| 1600+ | 69.18 грн |
| 2400+ | 66.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN9R5-100BS,118 за ціною від 97.04 грн до 223.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V |
на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia |
MOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN9R5-100BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 197.27 грн |
| 500+ | 186.64 грн |
| 1000+ | 177.19 грн |
| PSMN9R5-100BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.67 грн |
| 10+ | 140.23 грн |
| 100+ | 97.04 грн |
| PSMN9R5-100BS,118 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
MOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




