PSMN9R5-100BS,118

PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.


PSMN9R5-100BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.43 грн
1600+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R5-100BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN9R5-100BS,118 за ціною від 77.70 грн до 294.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Виробник : Nexperia 3013388237854806psmn9r5-100bs.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+176.75 грн
500+167.23 грн
1000+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R5-100BS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4454 pF @ 50 V
на замовлення 5401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.44 грн
10+164.02 грн
50+125.80 грн
100+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100BS,118 Виробник : Nexperia PSMN9R5-100BS.pdf MOSFETs PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.15 грн
10+187.83 грн
50+124.48 грн
100+111.79 грн
500+90.38 грн
800+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.