Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN9R8-100YSFX
PSMN9R8-100YSFX

PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc.

PSMN9R8-100YSF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN9R8-100YSFX за ціною від 57.94 грн до 149.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc. PSMN9R8-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.61 грн
50+69.03 грн
100+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX Nexperia PSMN9R8-100YSF.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX NEXPERIA PSMN9R8-100YSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX NEXPERIA PSMN9R8-100YSF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
PSMN9R8-100YSFX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
10+91.61 грн
50+69.03 грн
100+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
PSMN9R8-100YSFX
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
PSMN9R8-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
PSMN9R8-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0083 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.