PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc.


PSMN9R8-100YSF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN9R8-100YSFX за ціною від 32.65 грн до 149.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX Nexperia PSMN9R8-100YSF.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+84.95 грн
100+49.43 грн
500+39.21 грн
1500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSFX Nexperia USA Inc. PSMN9R8-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.61 грн
50+69.03 грн
100+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.70 грн
10+84.95 грн
100+49.43 грн
500+39.21 грн
1500+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-100YSFX PSMN9R8-100YSF.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3384 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
10+91.61 грн
50+69.03 грн
100+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.