Продукція > NEXPERIA > PSMN9R8-30MLC,115
PSMN9R8-30MLC,115

PSMN9R8-30MLC,115 NEXPERIA


NEXP-S-A0003059863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0085 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.43 грн
30+28.09 грн
100+19.63 грн
500+14.80 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN9R8-30MLC,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0085 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN9R8-30MLC,115 за ціною від 11.06 грн до 60.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R8-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.48 грн
10+33.17 грн
100+22.73 грн
500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Виробник : Nexperia PSMN9R8-30MLC.pdf MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.39 грн
10+44.88 грн
100+25.77 грн
500+19.77 грн
1000+18.82 грн
1500+14.42 грн
3000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA 3007295179224660psmn9r8-30mlc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN9R8-30MLC.pdf PSMN9R8-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R8-30MLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN9R8-30MLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.