PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.93 грн |
| 10+ | 34.11 грн |
| 100+ | 23.37 грн |
| 500+ | 17.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0085 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN9R8-30MLC,115 за ціною від 11.37 грн до 63.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0085 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 202A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 202A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.65mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN9R8-30MLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 202A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Case: LFPAK33; SOT1210 Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 202A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 10.65mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A |
товару немає в наявності |