PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.14 грн |
| 10+ | 32.31 грн |
| 100+ | 22.13 грн |
| 500+ | 16.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN9R8-30MLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V, Verlustleistung: 45W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.
Інші пропозиції PSMN9R8-30MLC,115 за ціною від 11.04 грн до 60.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN9R8-30MLC,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 2383 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN9R8-30MLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V Verlustleistung: 45W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN9R8-30MLC,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
MOSFETs PSMN9R8-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.32 грн |
| 10+ | 44.83 грн |
| 100+ | 25.74 грн |
| 500+ | 19.75 грн |
| 1000+ | 18.80 грн |
| 1500+ | 14.41 грн |
| 3000+ | 11.04 грн |
| PSMN9R8-30MLC,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: NEXPERIA - PSMN9R8-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 8500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)