PSMNR51-25YLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 114.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR51-25YLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPowerS3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMNR51-25YLHX за ціною від 94.67 грн до 319.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPowerS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 490µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR51-25YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 380 A, 490 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPowerS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR51-25YLH/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 12379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 12 V |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMNR51-25YLHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 380A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMNR51-25YLHX | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR51-25YLHX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |