PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 264.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR55-40SSHJ за ціною від 246.99 грн до 472.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V |
на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 25 V, 0.63 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56E |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 500A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 500A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR55-40SSHJ SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |