Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMNR55-40SSHJ
PSMNR55-40SSHJ

PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.

PSMNR55-40SSH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+205.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMNR55-40SSHJ за ціною від 208.78 грн до 985.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSHJ Nexperia PSMNR55-40SSH.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 500A
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.41 грн
10+290.69 грн
100+242.30 грн
2000+212.97 грн
4000+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSHJ NEXPERIA PSMNR55-40SSH.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+518.94 грн
50+422.86 грн
100+335.87 грн
250+328.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSH.pdf Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.40 грн
10+347.60 грн
100+253.68 грн
500+227.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSHJ NEXPERIA 3257275.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.73 грн
5+750.30 грн
10+694.09 грн
50+515.91 грн
100+436.42 грн
250+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSH.pdf
PSMNR55-40SSHJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 500A
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+367.41 грн
10+290.69 грн
100+242.30 грн
2000+212.97 грн
4000+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSH.pdf
PSMNR55-40SSHJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+518.94 грн
50+422.86 грн
100+335.87 грн
250+328.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ PSMNR55-40SSH.pdf
PSMNR55-40SSHJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+533.40 грн
10+347.60 грн
100+253.68 грн
500+227.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR55-40SSHJ 3257275.pdf
PSMNR55-40SSHJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 470 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+985.73 грн
5+750.30 грн
10+694.09 грн
50+515.91 грн
100+436.42 грн
250+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.