PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 264.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR55-40SSHJ за ціною від 228.98 грн до 458.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21162 pF @ 25 V |
на замовлення 5256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR55-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 500 A, 0.00047 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 500A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 500A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 500A Pulsed drain current: 2237A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMNR55-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 500A Pulsed drain current: 2237A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 |
товару немає в наявності |