Продукція > NEXPERIA > PSMNR58-30YLHX

PSMNR58-30YLHX Nexperia


PSMNR58-30YLH.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 30V 300A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+103.09 грн
3000+100.82 грн
9000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR58-30YLHX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMNR58-30YLHX за ціною від 286.58 грн до 286.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMNR58-30YLHX PSMNR58-30YLHX Nexperia USA Inc. PSMNR58-30YLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR58-30YLHX PSMNR58-30YLH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.