Продукція > NEXPERIA > PSMNR67-30YLEX
PSMNR67-30YLEX

PSMNR67-30YLEX NEXPERIA

3791086.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+191.68 грн
500+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR67-30YLEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm.

Інші пропозиції PSMNR67-30YLEX за ціною від 93.20 грн до 405.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMNR67-30YLE.pdf Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+162.21 грн
100+125.78 грн
500+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Nexperia PSMNR67-30YLE.pdf MOSFETs SOT1023 N-CH 30V 365 A
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+184.18 грн
100+119.43 грн
500+100.10 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX NEXPERIA 3791086.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.92 грн
10+277.06 грн
100+191.68 грн
500+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLE.pdf
PSMNR67-30YLEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.59 грн
10+162.21 грн
100+125.78 грн
500+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLE.pdf
PSMNR67-30YLEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 30V 365 A
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.31 грн
10+184.18 грн
100+119.43 грн
500+100.10 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR67-30YLEX 3791086.pdf
PSMNR67-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+405.92 грн
10+277.06 грн
100+191.68 грн
500+141.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.