PSMNR67-30YLEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 145.31 грн |
| 500+ | 108.26 грн |
| 1000+ | 87.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR67-30YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR67-30YLEX за ціною від 85.85 грн до 213.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR67-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR67-30YLEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 30V 365A |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMNR67-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel MOSFET 30 V, 0.68 mOhm |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
PSMNR67-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |