PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 166.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMNR70-40SSHJ за ціною від 183.37 грн до 455.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR70-40SSHJ | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 668 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMNR70-40SSHJ | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMNR70-40SSHJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 446.92 грн |
| 10+ | 295.40 грн |
| 100+ | 184.86 грн |
| 500+ | 183.37 грн |
| PSMNR70-40SSHJ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.71 грн |
| 10+ | 294.21 грн |
| 50+ | 232.02 грн |
| 100+ | 198.96 грн |
| 500+ | 183.72 грн |