Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMNR70-40SSHJ
PSMNR70-40SSHJ

PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.

PSMNR70-40SSH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMNR70-40SSHJ за ціною від 126.07 грн до 286.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSHJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMNR70-40SSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.99 грн
10+230.09 грн
100+186.44 грн
500+164.53 грн
1000+159.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSHJ Виробник : Nexperia PSMNR70-40SSH.pdf MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 425A
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.23 грн
10+237.00 грн
100+165.32 грн
500+146.45 грн
1000+126.82 грн
2000+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSHJ Виробник : NEXPERIA psmnr70-40ssh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 425A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSHJ Виробник : Nexperia psmnr70-40ssh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 425A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.