PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 171.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR70-40SSHJ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMNR70-40SSHJ за ціною від 155.07 грн до 302.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMNR70-40SSHJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 202 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15719 pF @ 25 V |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR70-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR70-40SSH/SOT1235/LFPAK88 |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMNR70-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 425A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMNR70-40SSHJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 425A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMNR70-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A Case: LFPAK88; SOT1235 Drain-source voltage: 40V Drain current: 350A On-state resistance: 1.53mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 202nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1983A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMNR70-40SSHJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A Case: LFPAK88; SOT1235 Drain-source voltage: 40V Drain current: 350A On-state resistance: 1.53mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 202nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1983A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |