PSMNR70-40YSNX

PSMNR70-40YSNX Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR70-40YSN/SOT1023/LFPAK56E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81Ohm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14307 pF @ 25 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR70-40YSNX Nexperia USA Inc.

Description: PSMNR70-40YSN/SOT1023/LFPAK56E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81Ohm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 333W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14307 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMNR70-40YSNX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMNR70-40YSNX PSMNR70-40YSNX Виробник : Nexperia MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.