
PSMNR82-30YLEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 141.95 грн |
500+ | 105.75 грн |
1000+ | 80.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR82-30YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR82-30YLEX за ціною від 80.64 грн до 302.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMNR82-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMNR82-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMNR82-30YLEX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
PSMNR82-30YLEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PSMNR82-30YLEX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |