Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMNR82-30YLEX
PSMNR82-30YLEX

PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc.

PSMNR82-30YLE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.50 грн
10+185.16 грн
100+130.11 грн
500+100.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMNR82-30YLEX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMNR82-30YLEX PSMNR82-30YLEX Nexperia PSMNR82-30YLE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 330A
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEX PSMNR82-30YLEX NEXPERIA 3791079.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEX PSMNR82-30YLEX NEXPERIA 3791079.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEX PSMNR82-30YLE.pdf
PSMNR82-30YLEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 330A
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEX 3791079.pdf
PSMNR82-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR82-30YLEX 3791079.pdf
PSMNR82-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.