Продукція > NEXPERIA > PSMNR89-25YLEX
PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLEX NEXPERIA


3791083.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 224W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.06 грн
500+96.56 грн
1000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR89-25YLEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 224W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMNR89-25YLEX за ціною від 63.71 грн до 235.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMNR89-25YLEX PSMNR89-25YLEX Виробник : NEXPERIA 3791083.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 224W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.95 грн
10+155.98 грн
100+113.06 грн
500+96.56 грн
1000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR89-25YLEX PSMNR89-25YLEX Виробник : Nexperia PSMNR89-25YLE.pdf MOSFETs PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.17 грн
10+159.05 грн
100+100.05 грн
500+83.13 грн
1500+68.64 грн
3000+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR89-25YLEX PSMNR89-25YLEX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMNR89-25YLE.pdf Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR89-25YLEX PSMNR89-25YLEX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMNR89-25YLE.pdf Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.