на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 82.52 грн |
| 10+ | 80.99 грн |
| 100+ | 78.14 грн |
| 250+ | 75.12 грн |
| 500+ | 69.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-40YLHX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR90-40YLHX за ціною від 80.44 грн до 229.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMNR90-40YLHX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR90-40YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR90-40YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR90-40YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMNR90-40YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
на замовлення 5611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR90-40YLHX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 7614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMNR90-40YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMNR90-40YLHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PSMNR90-40YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 285A Pulsed drain current: 1613A Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| PSMNR90-40YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 285A Pulsed drain current: 1613A Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 |
товару немає в наявності |