PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMNR90-40YLHX за ціною від 72.46 грн до 451.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMNR90-40YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMNR90-40YLHX | Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 300A |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMNR90-40YLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V |
на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMNR90-40YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMNR90-40YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 222.72 грн |
| 200+ | 168.32 грн |
| 500+ | 130.98 грн |
| PSMNR90-40YLHX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 300A
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 300A
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 282.06 грн |
| 10+ | 181.08 грн |
| 100+ | 110.08 грн |
| 500+ | 92.66 грн |
| 1000+ | 85.70 грн |
| 1500+ | 79.43 грн |
| 3000+ | 72.46 грн |
| PSMNR90-40YLHX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
на замовлення 4334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 323.72 грн |
| 10+ | 206.21 грн |
| 100+ | 146.52 грн |
| 500+ | 128.88 грн |
| PSMNR90-40YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 451.94 грн |
| 10+ | 319.45 грн |
| 50+ | 281.24 грн |
| 200+ | 204.55 грн |
| 500+ | 174.18 грн |




