Продукція > NEXPERIA > PSMNR90-40YLHX
PSMNR90-40YLHX

PSMNR90-40YLHX Nexperia

psmnr90-40ylh.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+101.60 грн
145+98.01 грн
250+97.72 грн
500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR90-40YLHX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm.

Інші пропозиції PSMNR90-40YLHX за ціною від 86.76 грн до 346.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX Nexperia psmnr90-40ylh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.52 грн
10+101.60 грн
100+98.01 грн
250+94.23 грн
500+86.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc. PSMNR90-40YLH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc. PSMNR90-40YLH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.51 грн
10+221.28 грн
50+172.79 грн
100+147.52 грн
500+129.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX Nexperia PSMNR90-40YLH.pdf MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX NEXPERIA 2805080.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX NEXPERIA 2805080.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX psmnr90-40ylh.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.52 грн
10+101.60 грн
100+98.01 грн
250+94.23 грн
500+86.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLH.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLH.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12673 pF @ 20 V
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.51 грн
10+221.28 грн
50+172.79 грн
100+147.52 грн
500+129.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLH.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMNR90-40YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX 2805080.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-40YLHX 2805080.pdf
PSMNR90-40YLHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 940 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.