PSMNR90-40YSNX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 51.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-40YSNX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMNR90-40YSNX за ціною від 44.66 грн до 196.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR90-40YSNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMNR90-40YSNX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMNR90-40YSNX | Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK |
на замовлення 11414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMNR90-40YSNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMNR90-40YSNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.48 грн |
| 500+ | 79.23 грн |
| 1000+ | 66.46 грн |
| PSMNR90-40YSNX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Description: PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.54 грн |
| 10+ | 99.27 грн |
| 100+ | 73.32 грн |
| 500+ | 54.73 грн |
| PSMNR90-40YSNX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
на замовлення 11414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.45 грн |
| 10+ | 102.71 грн |
| 100+ | 61.11 грн |
| 500+ | 48.59 грн |
| 1000+ | 47.26 грн |
| 1500+ | 44.66 грн |
| PSMNR90-40YSNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMNR90-40YSNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 196.09 грн |
| 10+ | 149.32 грн |
| 100+ | 107.48 грн |
| 500+ | 79.23 грн |
| 1000+ | 66.46 грн |