PSMNR90-50SLHAX

PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.


PSMNR90-50SLH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+189.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMNR90-50SLHAX за ціною від 135.96 грн до 498.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMNR90-50SLHAX PSMNR90-50SLHAX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMNR90-50SLH.pdf Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.72 грн
10+ 315.42 грн
100+ 255.16 грн
500+ 212.85 грн
1000+ 182.25 грн
PSMNR90-50SLHAX PSMNR90-50SLHAX Виробник : Nexperia PSMNR90_50SLH-2932226.pdf MOSFET PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+390.79 грн
10+ 323.94 грн
25+ 265.71 грн
100+ 227.75 грн
250+ 215.76 грн
500+ 202.44 грн
1000+ 188.46 грн
PSMNR90-50SLHAX PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+408.63 грн
25+ 371.28 грн
100+ 310.77 грн
500+ 195.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
PSMNR90-50SLHAX PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.28 грн
10+ 408.63 грн
25+ 371.28 грн
100+ 310.77 грн
500+ 195.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
товар відсутній
PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
товар відсутній
PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMNR90-50SLHAX Виробник : NEXPERIA PSMNR90-50SLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній