PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 200.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMNR90-50SLHAX за ціною від 181.25 грн до 411.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: SOT-123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V |
на замовлення 3749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 |
на замовлення 6642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 0.0007 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: SOT-123 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
PSMNR90-50SLHAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 302A Pulsed drain current: 1711A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.03mΩ Mounting: SMD Gate charge: 383nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| PSMNR90-50SLHAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 302A Pulsed drain current: 1711A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.03mΩ Mounting: SMD Gate charge: 383nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |