PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMNR90-50SLHAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 410A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm.
Інші пропозиції PSMNR90-50SLHAX за ціною від 170.91 грн до 490.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMNR90-50SLHAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMNR90-50SLHAX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V |
на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMNR90-50SLHAX | Nexperia |
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A |
на замовлення 4213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PSMNR90-50SLHAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-123 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PSMNR90-50SLHAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 410A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 410A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 316.25 грн |
| 10+ | 276.31 грн |
| PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
Description: PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 383 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25001 pF @ 25 V
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 490.83 грн |
| 10+ | 318.52 грн |
| 100+ | 231.26 грн |
| 500+ | 182.12 грн |
| 1000+ | 170.91 грн |
| PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A
MOSFETs SOT1235 N-CH 50V 410A
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
Description: NEXPERIA - PSMNR90-50SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 410 A, 700 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





