PSMNR90-80ASEJ

PSMNR90-80ASEJ Nexperia USA Inc.


PSMNR90-80ASE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
на замовлення 831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.91 грн
10+546.24 грн
100+455.20 грн
500+391.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR90-80ASEJ Nexperia USA Inc.

Description: PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMNR90-80ASEJ за ціною від 356.07 грн до 805.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMNR90-80ASEJ PSMNR90-80ASEJ Виробник : Nexperia PSMNR90-80ASE.pdf MOSFETs SOT8000 N-CH 80V 495A
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.36 грн
10+620.71 грн
100+450.17 грн
500+419.30 грн
1000+356.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR90-80ASEJ PSMNR90-80ASEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMNR90-80ASE.pdf Description: PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.