Продукція > NEXPERIA > PSMNR98-25YLEX
PSMNR98-25YLEX

PSMNR98-25YLEX NEXPERIA

3791084.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+163.50 грн
500+128.63 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMNR98-25YLEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 192W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm.

Інші пропозиції PSMNR98-25YLEX за ціною від 53.09 грн до 346.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMNR98-25YLEX PSMNR98-25YLEX Nexperia USA Inc. PSMNR98-25YLE.pdf Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.24 грн
100+75.66 грн
500+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR98-25YLEX PSMNR98-25YLEX Nexperia PSMNR98-25YLE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 255A
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+59.99 грн
1000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR98-25YLEX PSMNR98-25YLEX NEXPERIA 3791084.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.32 грн
10+236.79 грн
100+163.50 грн
500+128.63 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR98-25YLEX PSMNR98-25YLE.pdf
PSMNR98-25YLEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6249 pF @ 12 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.85 грн
10+110.24 грн
100+75.66 грн
500+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR98-25YLEX PSMNR98-25YLE.pdf
PSMNR98-25YLEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 255A
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.71 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+59.99 грн
1000+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMNR98-25YLEX 3791084.pdf
PSMNR98-25YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMNR98-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 255 A, 940 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 255A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 192W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+346.32 грн
10+236.79 грн
100+163.50 грн
500+128.63 грн
1000+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.