Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMP020-30YEX

PSMP020-30YEX Nexperia USA Inc.

nexperia_selection_guide_2019_201901.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMP020-30YEX Nexperia USA Inc.

Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMP020-30YEX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMP020-30YEX Nexperia USA Inc. nexperia_selection_guide_2019_201901.pdf Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP020-30YEX Nexperia Nexperia-Selection-Guide-2018-1380057.pdf MOSFET PSMP020-30YE LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP020-30YEX nexperia_selection_guide_2019_201901.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMP020-30YE/SOT669/LFPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.1A
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP020-30YEX Nexperia-Selection-Guide-2018-1380057.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMP020-30YE LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.