PSMP033-60YEX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.63 грн |
| 500+ | 54.03 грн |
| 1000+ | 39.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMP033-60YEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PSMP033-60YEX за ціною від 35.82 грн до 105.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMP033-60YEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMP033-60YEX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK |
на замовлення 11929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMP033-60YEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP033-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMP033-60YEX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
PSMP033-60YEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMP033-60YEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMP033-60YEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |