
PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.14 грн |
50+ | 100.94 грн |
100+ | 95.89 грн |
500+ | 76.92 грн |
1000+ | 71.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMP050N10NS2_T0_00601 за ціною від 75.04 грн до 220.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMP050N10NS2_T0_00601 Код товару: 191410
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 138W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PSMP050N10NS2_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 138W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |