Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PSMP050N10NS2_T0_00601
PSMP050N10NS2_T0_00601

PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor

PSMP050N10NS2.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.47 грн
9+100.39 грн
10+99.62 грн
25+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor

Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMP050N10NS2_T0_00601 за ціною від 68.20 грн до 229.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 Виробник : Panjit International Inc. PSMP050N10NS2.pdf Description: 100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3910 pF @ 50 V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.59 грн
50+96.21 грн
100+91.40 грн
500+73.32 грн
1000+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 Виробник : Panjit PSMP050N10NS2-3049542.pdf MOSFETs 100V 5mohm Low FOM MOSFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.58 грн
10+118.44 грн
100+92.70 грн
500+77.25 грн
1000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Case: TO220ABL
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.76 грн
9+125.10 грн
10+119.55 грн
25+114.03 грн
50+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601
Код товару: 191410
Додати до обраних Обраний товар

PSMP050N10NS2.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.