Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PSMP055N08NS1_T0_00601
PSMP055N08NS1_T0_00601

PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc.

PSMP055N08NS1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.59 грн
50+58.51 грн
100+52.32 грн
500+38.91 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMP055N08NS1_T0_00601 за ціною від 66.48 грн до 134.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 65.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 111A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7mΩ
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.23 грн
10+73.12 грн
50+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit PSMP055N08NS1.pdf MOSFETs 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 65.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 111A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 7mΩ
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.23 грн
10+73.12 грн
50+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.