PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.94 грн |
| 50+ | 58.68 грн |
| 100+ | 52.47 грн |
| 500+ | 39.02 грн |
| 1000+ | 35.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 80V/ 5.5MOHM / TJMAX 175C MV MOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMP055N08NS1_T0_00601 за ціною від 45.97 грн до 161.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 111A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 136W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMP055N08NS1_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 111A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 136W Case: TO220ABL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|