
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.

Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 43.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.
Description: 60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 за ціною від 42.74 грн до 143.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DFN5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2057 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|