Технічний опис PT5529B/L2-F Everlight Electronics
Category: Phototransistors, Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V, Type of photoelement: phototransistor, Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm, Wavelength of peak sensitivity: 940nm, Collector-emitter voltage: 30V, LED lens: black, Mounting: THT, Dark current: 0.1µA, Front: flat, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PT5529B/L2-F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PT5529B/L2-F | Виробник : Everlight Electronics CO., LTD |
 Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 3-Pin Bag |
товару немає в наявності |
|
| PT5529B/L2-F | Виробник : EVERLIGHT |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V Type of photoelement: phototransistor Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm Wavelength of peak sensitivity: 940nm Collector-emitter voltage: 30V LED lens: black Mounting: THT Dark current: 0.1µA Front: flat кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
PT5529B/L2-F | Виробник : Everlight Electronics Co Ltd |
Description: SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD Packaging: Bulk Package / Case: Radial - 3 Leads Wavelength: 940nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V |
товару немає в наявності |
|
| PT5529B/L2-F | Виробник : Everlight |
Phototransistors IR Phototransistor |
товару немає в наявності |
||
| PT5529B/L2-F | Виробник : EVERLIGHT |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; Dim: 2.8x4.8x4.5mm; λp max: 940nm; 30V Type of photoelement: phototransistor Dimensions: 2.8x4.8x4.5mm Wavelength of peak sensitivity: 940nm Collector-emitter voltage: 30V LED lens: black Mounting: THT Dark current: 0.1µA Front: flat |
товару немає в наявності |