PTAB182002TCV2R250XUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4
Current - Test: 520 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H-37248-4
Technology: LDMOS
Gain: 14.8dB
Power - Output: 180W
Configuration: Dual, Common Source
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: H-37248-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PTAB182002TCV2R250XUMA1 Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4, Current - Test: 520 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: H-37248-4, Technology: LDMOS, Gain: 14.8dB, Power - Output: 180W, Configuration: Dual, Common Source, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: H-37248-4, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PTAB182002TCV2R250XUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies |
RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PTAB182002TCV2R250XUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

