Продукція > PANJIT > PTGH7565S1_T0_00201

PTGH7565S1_T0_00201 Panjit

Виробник: Panjit
IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PTGH7565S1_T0_00201 Panjit

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Trench FS IGBT; 650V; 80A; 183W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 80A, Power dissipation: 183W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 225A, Mounting: THT, Gate charge: 108nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: Trench FS IGBT.

Інші пропозиції PTGH7565S1_T0_00201

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	PTGH7565S1_T0_00201	PanJit Semiconductor	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench FS IGBT; 650V; 80A; 183W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 183W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Trench FS IGBT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

PTGH7565S1_T0_00201

Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench FS IGBT; 650V; 80A; 183W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 183W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Trench FS IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.