Продукція > NEXPERIA > PTVS10VU1UPAZ
PTVS10VU1UPAZ

PTVS10VU1UPAZ Nexperia


PTVSXU1UPA_SER.pdf Виробник: Nexperia
ESD Protection Diodes / TVS Diodes PTVS10VU1UPA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.42 грн
12+28.44 грн
100+14.97 грн
500+12.55 грн
1000+8.88 грн
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PTVS10VU1UPAZ Nexperia

Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.3kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.7V, Max. forward impulse current: 148A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DFN3, Mounting: SMD, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PTVS10VU1UPAZ за ціною від 14.41 грн до 38.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXU1UPA_SER.pdf Description: TVS DIODE 10V 17V DFN2020-3
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+30.04 грн
100+20.47 грн
500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : NEXPERIA PTVSXU1UPA_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.7V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN3
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXU1UPA_SER.pdf Description: TVS DIODE 10V 17V DFN2020-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : NEXPERIA PTVSXU1UPA_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.7V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN3
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.