Продукція > NEXPERIA > PTVS10VU1UPAZ
PTVS10VU1UPAZ

PTVS10VU1UPAZ Nexperia


PTVSXU1UPA_SER-2938930.pdf Виробник: Nexperia
ESD Suppressors / TVS Diodes PTVS10VU1UPA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.55 грн
12+ 26.11 грн
100+ 15.52 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 8.19 грн
3000+ 6.86 грн
9000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PTVS10VU1UPAZ Nexperia

Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.3kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.7V, Max. forward impulse current: 148A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DFN3, Mounting: SMD, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PTVS10VU1UPAZ за ціною від 13.07 грн до 34.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXU1UPA_SER.pdf Description: TVS DIODE 10V 17V DFN2020-3
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.58 грн
11+ 27.26 грн
100+ 18.58 грн
500+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : NEXPERIA PTVSXU1UPA_SER.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.7V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN3
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PTVSXU1UPA_SER.pdf Description: TVS DIODE 10V 17V DFN2020-3
товар відсутній
PTVS10VU1UPAZ PTVS10VU1UPAZ Виробник : NEXPERIA PTVSXU1UPA_SER.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 11.7V; 148A; unidirectional; DFN3
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.7V
Max. forward impulse current: 148A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN3
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
товар відсутній