PU2DLSH Taiwan Semiconductor
на замовлення 19350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.52 грн |
| 12+ | 27.1 грн |
| 100+ | 14.15 грн |
| 500+ | 13.09 грн |
| 1000+ | 8.95 грн |
| 2500+ | 8.21 грн |
| 10000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PU2DLSH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123H, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-123HE, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції PU2DLSH за ціною від 8.55 грн до 36.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PU2DLSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123H Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123HE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 19950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PU2DLSH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 200V 2A Automotive 2-Pin SOD-123HE T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PU2DLSH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 200V 2A Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123HE T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PU2DLSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123H Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123HE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товар відсутній |