PUMB10,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMB10,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMB10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PUMB10,115 за ціною від 2.09 грн до 19.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMB10 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMB10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMB10,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors 50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistor;R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm |
на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP Bauform - Transistor: SOT-363 Bauform - HF-Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMB10 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PUMB10,115 | Виробник : NXP |
2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k PUMB10 TPUMB10 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
PUMB10.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PUMB10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |