Продукція > NEXPERIA USA INC. > PUMB10,115
PUMB10,115

PUMB10,115 Nexperia USA Inc.

PUMB10.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6-TSSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
29+10.30 грн
50+7.37 грн
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PUMB10,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMB10 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PUMB10,115 за ціною від 2.35 грн до 19.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PUMB10,115 PUMB10,115 Nexperia PUMB10.pdf Digital Transistors SOT363 50V .1A PNP/P NP RET
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 PUMB10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002884586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMB10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 PUMB10,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002884586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMB10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 NXP PUMB10.pdf 2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k PUMB10 TPUMB10
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 Nexperia PUMB10.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 128900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.56 грн
46+16.38 грн
55+13.69 грн
56+13.07 грн
100+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 PUMB10.pdf
PUMB10,115
Виробник: Nexperia
Digital Transistors SOT363 50V .1A PNP/P NP RET
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 NEXP-S-A0002884586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PUMB10,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMB10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 NEXP-S-A0002884586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PUMB10,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMB10,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMB10 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 PUMB10.pdf
Виробник: NXP
2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k PUMB10 TPUMB10
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PUMB10,115 PUMB10.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 128900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.56 грн
46+16.38 грн
55+13.69 грн
56+13.07 грн
100+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.